MRFG35003ANT1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 7. Class AB Common Source S-Parameters (VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA, T
A
= 25
°C, 50 Ω
system)
ff
S11
S21
S12
S22
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
0.500
0.893
-166.3
7.532
85.5
0.0369
3.0
0.553
-168.3
0.525
0.892
-167.7
7.180
84.3
0.0369
2.1
0.554
-169.3
0.550
0.894
-169.2
6.914
83.1
0.0370
1.3
0.554
-170.3
0.575
0.892
-170.3
6.550
81.9
0.0370
0.6
0.554
-171.1
0.600
0.893
-171.7
6.359
80.9
0.0371
-0.2
0.555
-171.9
0.625
0.893
-172.6
6.045
79.8
0.0371
-0.9
0.556
-172.7
0.650
0.893
-174.0
5.892
78.7
0.0372
-1.6
0.556
-173.4
0.675
0.893
-174.9
5.670
77.7
0.0372
-2.3
0.556
-174.1
0.700
0.893
-175.9
5.464
76.6
0.0372
-2.9
0.557
-174.7
0.725
0.894
-177.0
5.318
75.7
0.0372
-3.5
0.557
-175.4
0.750
0.893
-177.8
5.107
74.7
0.0372
-4.1
0.557
-176.0
0.775
0.894
-178.9
4.997
73.7
0.0373
-4.7
0.557
-176.6
0.800
0.893
-179.6
4.820
72.7
0.0373
-5.3
0.558
-177.1
0.825
0.893
179.4
4.697
71.8
0.0374
-5.9
0.558
-177.6
0.850
0.893
178.6
4.569
70.8
0.0374
-6.4
0.558
-178.1
0.875
0.893
177.8
4.420
69.9
0.0374
-7.0
0.559
-178.7
0.900
0.894
177.0
4.339
69.1
0.0375
-7.5
0.559
-179.2
0.925
0.893
176.4
4.184
68.1
0.0375
-8.1
0.559
-179.6
0.950
0.893
175.4
4.120
67.3
0.0375
-8.6
0.559
180.0
0.975
0.893
174.7
4.015
66.3
0.0376
-9.1
0.559
179.6
1.000
0.892
174.0
3.914
65.4
0.0376
-9.6
0.559
179.1
1.025
0.893
173.3
3.842
64.6
0.0376
-10.1
0.559
178.7
1.050
0.892
172.6
3.730
63.7
0.0377
-10.6
0.560
178.3
1.075
0.893
171.8
3.684
62.9
0.0377
-11.1
0.560
177.9
1.100
0.892
171.2
3.590
61.9
0.0378
-11.6
0.559
177.5
1.125
0.892
170.5
3.522
61.1
0.0378
-12.2
0.560
177.1
1.150
0.892
169.9
3.464
60.3
0.0379
-12.7
0.560
176.7
1.175
0.891
169.2
3.382
59.4
0.0379
-13.1
0.559
176.3
1.200
0.891
168.6
3.334
58.6
0.0380
-13.6
0.559
175.9
1.225
0.890
168.0
3.259
57.7
0.0380
-14.2
0.559
175.5
1.250
0.891
167.4
3.213
56.9
0.0380
-14.6
0.559
175.1
1.275
0.890
166.8
3.154
56.0
0.0381
-15.1
0.558
174.7
1.300
0.890
166.2
3.101
55.2
0.0382
-15.6
0.558
174.3
1.325
0.891
165.6
3.056
54.4
0.0382
-16.0
0.558
173.9
1.350
0.890
165.0
2.994
53.5
0.0383
-16.5
0.558
173.5
1.375
0.890
164.4
2.959
52.8
0.0383
-17.0
0.557
173.1
1.400
0.890
163.9
2.909
51.9
0.0384
-17.5
0.557
172.7
1.425
0.890
163.3
2.869
51.1
0.0384
-17.9
0.557
172.2
1.450
0.889
162.7
2.827
50.3
0.0385
-18.4
0.556
171.8
1.475
0.889
162.2
2.786
49.4
0.0385
-18.8
0.556
171.4
1.500
0.889
161.1
2.786
48.4
0.0391
-19.5
0.549
171.2
1.525
0.888
160.7
2.738
47.6
0.0391
-19.9
0.549
170.7
1.550
0.889
160.2
2.707
46.8
0.0391
-20.4
0.550
170.2
1.575
0.889
159.8
2.663
46.0
0.0391
-20.8
0.550
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